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KRI 射頻離子源 Gridded RFICP 系列
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KRI 射頻離子源 Gridded RFICP 系列

KRI 考夫曼離子源 Gridded RFICP 系列
上海伯東美國 KRI 考夫曼離子源 RFICP 系列,無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長
RFICP  系列提供完整的套裝, 套裝包含離子源, 電子供應器, 中和器, 電源控制等
RFICP  系列離子源是制造精密薄膜和表面的有效工具, 有效改善靶材的致密性光透射,均勻性,附著力等

RFICP系列離子源應用:
離子輔助鍍膜 IBAD( Ion beam assisted deposition in thermal & e-beam evaporation )
離子清洗 PC (In-situ preclean in sputtering & evaporation )
表面改性, 激活 SM (Surface modification and activation )
離子濺鍍IBSD (Ion beam sputter deposition of single and multilayer structures)
離子蝕刻 IBE (Ion beam etching of surface features in any material)

RFICP系列離子源技術參數:

型號

RFICP 40

RFICP 100

RFICP 140

RFICP 220

Discharge 陽極

RF 射頻

RF 射頻

RF 射頻

RF 射頻

- 燈絲陰極

- 射頻功率

0.6 kw

1kw

1kw

2kw

離子槍

離子束

離子束

離子束

離子束

- 柵極

根據實際應用選配

- 對齊

 

自對準

 

自對準

 

自對準

 

- 離子束直徑@柵極

4cm

10 或12cm

14cm

22cm

中和器

LFN 2000

LFN 2000

LFN 2000

LFN 2000

電源控制

RFICP 1510-2-06-LFNA

RFICP 1510-2-10-LFNA

RFICP 1510-2-10-LFNA

RFICP 1510-2-10-LFNA

配置

 

 

 

 

Cathode / Neutralizer

LFN1000 or MHC1000 or RFN

LFN2000 or MHC1000 or RFN

LFN2000 or MHC1000 or RFN

LFN2000 or MHC1000 or RFN

基座

法蘭或Remote

法蘭或Remote

法蘭或Remote

法蘭或Remote

高度

5.0 英寸

9.25 英寸

9.8英寸

11.8 英寸

直徑

5.3 英寸

7.52 英寸

9.8 英寸

16.1 英寸

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